【ITBEAR科技资讯】2月29日消息，据消息源@Tech_Reve近日透露，高通公司今年发布的旗舰芯片骁龙8 Gen 4已全面采用台积电的3nm工艺进行制造。然而，对于明年即将推出的骁龙8 Gen 5，高通计划实施多晶圆厂策略。

过去，三星曾是高通骁龙8 Gen 1芯片的制造商，但因过热和效率问题，高通决定转向台积电，自此，台积电便成为了高通的独家代工合作伙伴。不过，这种独家代工的局面在明年有望发生转变。

据悉，常规的骁龙8 Gen 5芯片仍将继续由台积电使用其3nm工艺N3E进行制造。但值得关注的是，专为三星旗舰Galaxy S26系列打造的骁龙8 Gen 5芯片将采用三星的SF2P工艺。与三星此前的SF3工艺相比，SF2工艺在相同频率和复杂度下能提升25%的功耗效率，相同功耗和复杂度下性能提升12%，而在相同性能和复杂度下，芯片面积能减少5%。

为了进一步提升SF2工艺的竞争力，三星还将提供一系列先进的IP组合，涵盖LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6以及112G SerDes等技术。而SF2P作为在SF2工艺基础上的进一步优化，特别针对高性能计算(HPC)进行了调整，预计在性能方面会有更为显著的改进。

此外，根据此前的消息，高通骁龙8 Gen 5有望采用名为“Pegasus”的核心设计，采用“2+6”的集群设计方案，并搭配Slice GPU架构，这一改变有望进一步提升高通芯片的性能和效率。